根据三星官方博客的消息，针对高性能计算（HPC），三星正迈出新的一步，开发了9.8Gbps速
率的HBM3E内存产品，并已开始向客户提供样品。
此外，三星还计划在2025年前推出HBM4内存。为实现这一目标，他们正在准备优化高温热特性
的NCF组装技术和HCB技术。
值得注意的是，NCF（非导电薄膜）用于保护积层芯片之间的固态连接，以防止受到绝缘和机械
冲击的影响。而HCB（混合铜粘接）则作为一种新一代粘接技术，采用铜（导电材料）和氧化膜
（绝缘材料）的粘接方式，而非传统的焊接方法。
今年初，三星成立了高级封装业务团队（AVP），旨在加强先进的封装技术，并最大程度地发挥
各业务部门之间的协同作用。三星计划提供尖端的定制封装服务，包括2.5D和3D封装解决方案，
与HBM内存一同提供。
随着高端CPU在AI服务中需要100多个核心，每个核心都需要足够的内存，因此在封装内加载更
多容量变得至关重要。通过优化DRAM单芯片尺寸的工艺技术，以及正确放置组件并确保其按规
格运行的设计技术，可以在有限的封装空间内实现这一目标。
三星不久前发布了32Gb DDR5 DRAM内存，通过相同封装尺寸的架构改进，实现了16Gb
DRAM容量的翻倍，从而制造了128GB模块，而无需采用TSV工艺。这不仅降低了成本和提高了
生产效率，还降低了功耗，达到了10%的降低。
TSV（硅通孔）是一种封装技术，通过该技术，可以使芯片变薄，创建数百个小孔，并连接垂直
穿过顶部和底部芯片中的孔的电极。
最后，三星官方在博客中表示，他们将继续克服技术限制，开发出前所未有的多种内存解决方案
产品。特别是，他们计划基于10纳米以下工艺，开发出适用于AI时代的超高性能、超高容量、超
低功耗的存储器产品，这将成为DRAM市场的重大里程碑。
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